RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
37
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
2734
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link