RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
2943
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link