RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
2831
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link