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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
33
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
2524
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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