RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
18.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
15.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3465
3389
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link