RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
18.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
15.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3465
3389
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link