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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB

総合得点
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

総合得点
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 38
    周辺 32% 低遅延
Kingston KKN2NM-MIE 4GB 考慮すべき理由
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1677 left arrow 2174

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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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