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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1654 left arrow 1789

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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