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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

総合得点
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

総合得点
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 94
    周辺 -309% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 1,165.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    1,882.0 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,165.4 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    305 left arrow 3017

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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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メモリRAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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