RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    94 left arrow 100
    周辺 6% 低遅延
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 1,165.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 100
  • 読み出し速度、GB/s
    1,882.0 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,165.4 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    305 left arrow 1479

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology C 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
メモリRAM