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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

総合得点
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

総合得点
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    63 left arrow 94
    周辺 -49% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 1,165.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    1,882.0 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,165.4 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    305 left arrow 2061

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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