RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
比較する
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
総合得点
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
25
読み出し速度、GB/s
13.4
17.0
書き込み速度、GB/秒
7.8
11.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2181
2912
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAMの比較
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link