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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
総合得点
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.0
4.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
26
読み出し速度、GB/s
9.8
17.7
書き込み速度、GB/秒
4.6
14.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1560
3017
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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