RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 36
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 15
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 8.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2513 left arrow 2569

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAMの比較

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
メモリRAM