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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Kingston XWM8G1-MIE 32GB
総合得点
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
総合得点
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
16.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,343.1
16.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
49
周辺 -63% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
30
読み出し速度、GB/s
5,135.8
16.9
書き込み速度、GB/秒
2,343.1
16.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
843
3704
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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