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A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

総合得点
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A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB

総合得点
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 71
    周辺 -255% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 5.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.3 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1275 left arrow 3473

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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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