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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
総合得点
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
総合得点
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
40
周辺 -54% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.4
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
26
読み出し速度、GB/s
13.6
19.4
書き込み速度、GB/秒
7.8
15.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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