RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 36
    周辺 42% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 14.7
    テスト平均値
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    17.8 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2771 left arrow 2998

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM