RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 97
    周辺 69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 6.7
    テスト平均値
Kingston KGTWW1-MIE 4GB 考慮すべき理由
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 97
  • 読み出し速度、GB/s
    16.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.5 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3019 left arrow 1479

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
メモリRAM