RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.9
    テスト平均値
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 56
    周辺 -100% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 1,925.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,315.2 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,925.7 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    658 left arrow 3502

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較

ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
メモリRAM