RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 56
    周辺 -93% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 1,925.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,315.2 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,925.7 left arrow 15.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    658 left arrow 3722

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較

ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM