RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

総合得点
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16
    テスト平均値
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 56
    周辺 -87% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 1,925.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,315.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,925.7 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    658 left arrow 3026

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較

ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
メモリRAM