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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
総合得点
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
総合得点
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
56
周辺 -75% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
1,925.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
32
読み出し速度、GB/s
4,315.2
10.8
書き込み速度、GB/秒
1,925.7
8.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
658
2349
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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