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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

総合得点
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 81
    周辺 31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.7
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.5 left arrow 1,925.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    4,315.2 left arrow 12.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,925.7 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    658 left arrow 1460

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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
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