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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
総合得点
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
総合得点
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
56
周辺 -4% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
1,925.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
54
読み出し速度、GB/s
4,315.2
15.7
書き込み速度、GB/秒
1,925.7
11.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
658
2511
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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