RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.1
    テスト平均値
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 66
    周辺 -74% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 2569

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM