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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
総合得点
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
66
周辺 -120% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
1,557.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
30
読み出し速度、GB/s
2,775.5
15.7
書き込み速度、GB/秒
1,557.9
10.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
382
2742
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
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