RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.4
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 66
    周辺 -164% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 18.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 3731

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
メモリRAM