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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

総合得点
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17
    テスト平均値
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 66
    周辺 -120% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 3255

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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