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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
総合得点
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
10
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
66
周辺 -89% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
1,557.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
35
読み出し速度、GB/s
2,775.5
10.0
書き込み速度、GB/秒
1,557.9
7.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
382
2200
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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