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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
総合得点
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
総合得点
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
66
周辺 -136% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
1,557.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
28
読み出し速度、GB/s
2,775.5
16.0
書き込み速度、GB/秒
1,557.9
11.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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