RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.6
    テスト平均値
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB 考慮すべき理由
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 66
    周辺 -47% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 2925

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB RAMの比較

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
メモリRAM