RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 50
    周辺 8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 1,833.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB 考慮すべき理由
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 4,367.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 1,833.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 514

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
メモリRAM