RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

総合得点
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G1601U1 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 67
    周辺 -131% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    998 left arrow 3687

AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
メモリRAM