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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
総合得点
AMD AE34G1601U1 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
相違点
仕様
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AMD AE34G1601U1 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
67
周辺 -235% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.4
6.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.0
3.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
67
20
読み出し速度、GB/s
6.8
19.4
書き込み速度、GB/秒
3.6
15.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
998
3217
AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston KHYXPX-MID 8GB
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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