RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Kingston X6TCK6-MIE 32GB

総合得点
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston X6TCK6-MIE 32GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G1601U1 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
バグを報告する
Kingston X6TCK6-MIE 32GB 考慮すべき理由
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 67
    周辺 -97% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    998 left arrow 3288

AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM