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AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

総合得点
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AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

総合得点
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G1601U1 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 67
    周辺 -109% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    998 left arrow 3851

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-1600 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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