RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G1601U1 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    67 left arrow 81
    周辺 17% 低遅延
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.6 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 8.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    998 left arrow 1651

AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
メモリRAM