RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

AMD AE34G2139U2 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

総合得点
star star star star star
AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

総合得点
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G2139U2 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G2139U2 4GB
バグを報告する
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 56
    周辺 -195% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.5 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 5.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    7.4 left arrow 19.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.6 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1462 left arrow 3435

AMD AE34G2139U2 4GB RAMの比較

AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
メモリRAM