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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
総合得点
AMD R5316G1609U2K 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
73
周辺 -143% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
6.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
30
読み出し速度、GB/s
6.3
15.1
書き込み速度、GB/秒
5.2
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1309
2732
AMD R5316G1609U2K 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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