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AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

総合得点
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5316G1609U2K 8GB 考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 73
    周辺 -181% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 6.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    6.3 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.2 left arrow 16.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1309 left arrow 3937

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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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