RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

総合得点
star star star star star
AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5316G1609U2K 8GB 考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
バグを報告する
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 73
    周辺 -161% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 6.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.9 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    6.3 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.2 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1309 left arrow 2312

AMD R5316G1609U2K 8GB RAMの比較

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
メモリRAM