RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

総合得点
star star star star star
AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5316G1609U2K 8GB 考慮すべき理由
AMD R5316G1609U2K 8GB
バグを報告する
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 73
    周辺 -143% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 6.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    6.3 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.2 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1309 left arrow 3609

AMD R5316G1609U2K 8GB RAMの比較

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB RAMの比較

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
メモリRAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
メモリRAM