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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比較する
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
総合得点
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
総合得点
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
38
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
9.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
38
読み出し速度、GB/s
14.7
17.9
書き込み速度、GB/秒
9.2
10.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2272
3030
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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