AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

相違点仕様コメント

相違点

AMD R538G1601U2S 8GB

考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

19 30

周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.4 14.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 9.0

テスト平均値

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

AMD R538G1601U2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

19 30
読み出し速度、GB/s

18.4 14.5
書き込み速度、GB/秒

12.3 9.0
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3189 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

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Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB

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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Kingston 9905624-008.A00G 8GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

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