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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

総合得点
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

総合得点
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S-UO 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 26
    周辺 -44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.6 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 21.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 16.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2634 left arrow 3889

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Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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メモリRAM
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Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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