RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

総合得点
star star star star star
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S-UO 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 33
    周辺 21% 低遅延
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2634 left arrow 3035

AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAMの比較

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
メモリRAM