RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S-UO 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
バグを報告する
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 26
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 14.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2634 left arrow 3167

AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAMの比較

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
メモリRAM