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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

総合得点
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

総合得点
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5S38G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB 考慮すべき理由
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 37
    周辺 -48% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 2786

AMD R5S38G1601U2S 8GB RAMの比較

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Golden Empire CL7-7-7 2GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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