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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

総合得点
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

総合得点
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5S38G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 37
    周辺 -85% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 3326

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メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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