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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
総合得点
AMD R5S38G1601U2S 8GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
15.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
9.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
28
読み出し速度、GB/s
15.4
16.7
書き込み速度、GB/秒
9.2
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2948
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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